casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Arreglos / SI4908DY-T1-GE3
Número de pieza del fabricante | SI4908DY-T1-GE3 |
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Número de parte futuro | FT-SI4908DY-T1-GE3 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | TrenchFET® |
SI4908DY-T1-GE3 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo FET | 2 N-Channel (Dual) |
Característica FET | Standard |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 40V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 5A |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 60 mOhm @ 4.1A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.2V @ 250µA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 12nC @ 10V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 355pF @ 20V |
Potencia - max | 2.75W |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Paquete del dispositivo del proveedor | 8-SO |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SI4908DY-T1-GE3 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | SI4908DY-T1-GE3-FT |
LN60A01ES-LF
Monolithic Power Systems Inc.
TC6320TG-G
Microchip Technology
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Monolithic Power Systems Inc.
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SI4808DY-T1-GE3
Vishay Siliconix
LCMXO2-2000HC-5TG100I
Lattice Semiconductor Corporation
A42MX36-3BG272
Microsemi Corporation
A3P125-2VQ100I
Microsemi Corporation
5SGXEA7N3F40C4N
Intel
XCKU3P-2FFVD900I
Xilinx Inc.
LFE3-35EA-6LFN484C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-1200HC-5MG132CR1
Lattice Semiconductor Corporation
EP2AGX190FF35C6
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EPF10K130EBC356-1
Intel
5SGXEA3H3F35I3L
Intel