casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Arreglos / SI4670DY-T1-GE3
Número de pieza del fabricante | SI4670DY-T1-GE3 |
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Número de parte futuro | FT-SI4670DY-T1-GE3 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | TrenchFET® |
SI4670DY-T1-GE3 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo FET | 2 N-Channel (Dual) |
Característica FET | Logic Level Gate |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 25V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 8A |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 23 mOhm @ 7A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.2V @ 250µA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 18nC @ 10V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 680pF @ 13V |
Potencia - max | 2.8W |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Paquete del dispositivo del proveedor | 8-SO |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SI4670DY-T1-GE3 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | SI4670DY-T1-GE3-FT |
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Rohm Semiconductor
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5SGSMD6N3F45C2N
Intel
XC7VX550T-L2FFG1158E
Xilinx Inc.
XC6SLX9-L1CSG225I
Xilinx Inc.
A40MX02-1PQG100M
Microsemi Corporation
LFE2-6E-6F256I
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXMB7G4F35C5N
Intel