casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / SI4420DYPBF
Número de pieza del fabricante | SI4420DYPBF |
---|---|
Número de parte futuro | FT-SI4420DYPBF |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | HEXFET® |
SI4420DYPBF Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Discontinued at Future Semiconductor |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 30V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 12.5A (Ta) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 9 mOhm @ 12.5A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 78nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 2240pF @ 15V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | 2.5W (Ta) |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete del dispositivo del proveedor | 8-SO |
Paquete / Caja | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SI4420DYPBF Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | SI4420DYPBF-FT |
IRF7807VD2PBF
Infineon Technologies
IRF7807VD2TR
Infineon Technologies
IRF7807VD2TRPBF
Infineon Technologies
IRF7807VPBF
Infineon Technologies
IRF7807VTR
Infineon Technologies
IRF7807VTRPBF
Infineon Technologies
IRF7807Z
Infineon Technologies
IRF7807ZPBF
Infineon Technologies
IRF7807ZTR
Infineon Technologies
IRF7809
Infineon Technologies
AT40K40AL-1BQI
Microchip Technology
XC4005XL-3PQ100C
Xilinx Inc.
APA600-BG456I
Microsemi Corporation
A42MX36-1PQG208I
Microsemi Corporation
EP2S15F484C3
Intel
EP1S10F484C7N
Intel
EP1K30FC256-2
Intel
EP2AGX45DF25I5
Intel
LFE2M70SE-6F900I
Lattice Semiconductor Corporation
LFXP2-5E-7M132C
Lattice Semiconductor Corporation