casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / SI4412ADY-T1-GE3
Número de pieza del fabricante | SI4412ADY-T1-GE3 |
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Número de parte futuro | FT-SI4412ADY-T1-GE3 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | TrenchFET® |
SI4412ADY-T1-GE3 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 30V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 5.8A (Ta) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 24 mOhm @ 8A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA (Min) |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 20nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | - |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | 1.3W (Ta) |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete del dispositivo del proveedor | 8-SO |
Paquete / Caja | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SI4412ADY-T1-GE3 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | SI4412ADY-T1-GE3-FT |
RSH140N03TB1
Rohm Semiconductor
RSS040P03FU6TB
Rohm Semiconductor
RSS050P03FU6TB
Rohm Semiconductor
RSS050P03TB
Rohm Semiconductor
RSS060P05FU6TB
Rohm Semiconductor
RSS065N03FU6TB
Rohm Semiconductor
RSS065N03TB
Rohm Semiconductor
RSS065N06FU6TB
Rohm Semiconductor
RSS070N05FU6TB
Rohm Semiconductor
RSS070P05FU6TB
Rohm Semiconductor
LCMXO1200E-5T144C
Lattice Semiconductor Corporation
A1020B-2PQ100C
Microsemi Corporation
XC6SLX9-2FT256I
Xilinx Inc.
A3PN125-1VQ100
Microsemi Corporation
EP2A15F672C7AA
Intel
EP3CLS70U484I7
Intel
5SGSED6K2F40C3N
Intel
EP4CE10E22C9L
Intel
LFE3-70E-8FN484I
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K600EBC652-1X
Intel