casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Arreglos / SI3993CDV-T1-GE3
Número de pieza del fabricante | SI3993CDV-T1-GE3 |
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Número de parte futuro | FT-SI3993CDV-T1-GE3 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | TrenchFET® |
SI3993CDV-T1-GE3 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo FET | 2 P-Channel (Dual) |
Característica FET | Standard |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 30V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 2.9A |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 111 mOhm @ 2.5A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.2V @ 250µA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 8nC @ 10V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 210pF @ 15V |
Potencia - max | 1.4W |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
Paquete del dispositivo del proveedor | 6-TSOP |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SI3993CDV-T1-GE3 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | SI3993CDV-T1-GE3-FT |
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XC7A50T-L2CSG325E
Xilinx Inc.
LFE2-12E-7Q208C
Lattice Semiconductor Corporation
APA750-PQG208
Microsemi Corporation
EP4SGX230KF40C2
Intel
10AX022E4F27I3SG
Intel
5SGXEABK3H40C4N
Intel
A3P600-2FGG144
Microsemi Corporation
10AX090H1F34E1SG
Intel
EPF10K130EBC356-1X
Intel
EP4SGX290FF35I4
Intel