casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Arreglos / SI3909DV-T1-E3
Número de pieza del fabricante | SI3909DV-T1-E3 |
---|---|
Número de parte futuro | FT-SI3909DV-T1-E3 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | TrenchFET® |
SI3909DV-T1-E3 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo FET | 2 P-Channel (Dual) |
Característica FET | Logic Level Gate |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 20V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | - |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 200 mOhm @ 1.8A, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 500mV @ 250µA (Min) |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 4nC @ 4.5V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | - |
Potencia - max | 1.15W |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
Paquete del dispositivo del proveedor | 6-TSOP |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SI3909DV-T1-E3 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | SI3909DV-T1-E3-FT |
SI5938DU-T1-E3
Vishay Siliconix
SI5943DU-T1-E3
Vishay Siliconix
SI5943DU-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI5944DU-T1-E3
Vishay Siliconix
SI5944DU-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI5947DU-T1-E3
Vishay Siliconix
SI5947DU-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI5948DU-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI5980DU-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI5997DU-T1-GE3
Vishay Siliconix
XC6SLX75-2CSG484I
Xilinx Inc.
XC3S1400AN-5FGG676C
Xilinx Inc.
XC7S25-2FTGB196C
Xilinx Inc.
A42MX36-PQG240M
Microsemi Corporation
A3PE1500-FG484I
Microsemi Corporation
A3P250-2PQG208I
Microsemi Corporation
EP4SGX290FH29I3
Intel
5SGXEABN2F45I3N
Intel
XC7VX550T-3FFG1927E
Xilinx Inc.
AT6005-2JI
Microchip Technology