casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / SI2366DS-T1-GE3
Número de pieza del fabricante | SI2366DS-T1-GE3 |
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Número de parte futuro | FT-SI2366DS-T1-GE3 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | TrenchFET® |
SI2366DS-T1-GE3 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 30V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 5.8A (Tc) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 36 mOhm @ 4.5A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 10nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 335pF @ 15V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | 1.25W (Ta), 2.1W (Tc) |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete del dispositivo del proveedor | SOT-23-3 (TO-236) |
Paquete / Caja | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SI2366DS-T1-GE3 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | SI2366DS-T1-GE3-FT |
BSS159NL6906HTSA1
Infineon Technologies
BSS169 E6327
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BSS169 E6906
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BSS169H6327XTSA1
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BSS169H6906XTSA1
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BSS169L6327HTSA1
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BSS169L6906HTSA1
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BSS205NL6327HTSA1
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BSS214NL6327HTSA1
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BSS215PL6327HTSA1
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XC3S400-4TQG144C
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XC2V1500-4FGG676I
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10M08SAU169A7G
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5SGXEB5R3F43C3N
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A42MX24-1TQG176
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APA150-FGG144A
Microsemi Corporation
EP4SGX230DF29C3NES
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EP20K1000CF33C7N
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