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Vishay Siliconix SI2319DDS-T1-GE3

Name: SI2319DDS-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SI2319DDS-T1-GE3
Price: 0.155952 USD
Availability: InStock
Rating: 4.8 (354 reviews)

Número de pieza de MFG: SI2319DDS-T1-GE3

Cantidad disponible: 72800 Piezas

Precio de referencia: USD 0.155952

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fabricante: Vishay Siliconix

Breve descripción: TrenchFET® Gen III MOSFET P-CHAN 40V

Estado sin plomo / estado RoHS: Cumple con RoHS (sin plomo)

Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL): 1 (ilimitado)

Código de fecha (D / C): Nuevo

categoria de producto: Transistores - FETs, MOSFETs - Single

Recurso de stock: Distribuidor Franquiciado

Garantía: Garantía de calidad de 360 días.

ficha de datos: SI2319DDS-T1-GE3.pdf

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Número de pieza del fabricante	SI2319DDS-T1-GE3
Número de parte futuro	FT-SI2319DDS-T1-GE3
SPQ / MOQ	Contáctenos
Material de empaque	Reel/Tray/Tube/Others
serie	TrenchFET® Gen III
SI2319DDS-T1-GE3 Estado (ciclo de vida)	En stock
Estado de la pieza	Active
Tipo FET	P-Channel
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss)	40V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C	2.7A (Ta), 3.6A (Tc)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado)	4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	75 mOhm @ 2.7A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.5V @ 250µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs	19nC @ 10V
Vgs (Max)	±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds	650pF @ 20V
Característica FET	-
Disipación de potencia (max)	1W (Ta), 1.7W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete del dispositivo del proveedor	SOT-23-3 (TO-236)
Paquete / Caja	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
País de origen	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
SI2319DDS-T1-GE3 Peso	Contáctenos
Número de pieza de repuesto	SI2319DDS-T1-GE3-FT

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