casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / SI2304DDS-T1-GE3
Número de pieza del fabricante | SI2304DDS-T1-GE3 |
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Número de parte futuro | FT-SI2304DDS-T1-GE3 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | TrenchFET® |
SI2304DDS-T1-GE3 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 30V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 3.3A (Ta), 3.6A (Tc) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 60 mOhm @ 3.2A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.2V @ 250µA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 6.7nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 235pF @ 15V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | 1.1W (Ta), 1.7W (Tc) |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete del dispositivo del proveedor | SOT-23-3 (TO-236) |
Paquete / Caja | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SI2304DDS-T1-GE3 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | SI2304DDS-T1-GE3-FT |
T2N7002BK,LM
Toshiba Semiconductor and Storage
FDN5618P
ON Semiconductor
SI2301CDS-T1-E3
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Microsemi Corporation
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Microsemi Corporation
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Microsemi Corporation
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Lattice Semiconductor Corporation
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