casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / SI1330EDL-T1-GE3
Número de pieza del fabricante | SI1330EDL-T1-GE3 |
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Número de parte futuro | FT-SI1330EDL-T1-GE3 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | TrenchFET® |
SI1330EDL-T1-GE3 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 60V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 240mA (Ta) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 3V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.5 Ohm @ 250mA, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 0.6nC @ 4.5V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | - |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | 280mW (Ta) |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete del dispositivo del proveedor | SC-70-3 |
Paquete / Caja | SC-70, SOT-323 |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SI1330EDL-T1-GE3 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | SI1330EDL-T1-GE3-FT |
SIB422EDK-T1-GE3
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5SGXMA7N3F45I3LN
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XC7A12T-1CPG238C
Xilinx Inc.
XC7S25-2CSGA324I
Xilinx Inc.
LFE2M50SE-6FN484I
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