casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / SI1062X-T1-GE3
Número de pieza del fabricante | SI1062X-T1-GE3 |
---|---|
Número de parte futuro | FT-SI1062X-T1-GE3 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | TrenchFET® |
SI1062X-T1-GE3 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 20V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | - |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 1.5V, 4.5V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 420 mOhm @ 500mA, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 2.7nC @ 8V |
Vgs (Max) | ±8V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 43pF @ 10V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | 220mW (Ta) |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete del dispositivo del proveedor | SC-89-3 |
Paquete / Caja | SC-89, SOT-490 |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SI1062X-T1-GE3 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | SI1062X-T1-GE3-FT |
CPH3462-TL-W
ON Semiconductor
MVMBF0201NLT1G
ON Semiconductor
NVR5198NLT1G
ON Semiconductor
6HP04CH-TL-W
ON Semiconductor
CPH3355-TL-W
ON Semiconductor
MGSF2N02ELT1G
ON Semiconductor
MVGSF1N02LT1G
ON Semiconductor
NTR3C21NZT1G
ON Semiconductor
NVR1P02T1G
ON Semiconductor
NVR4501NT1G
ON Semiconductor
XC6SLX150T-2CSG484I
Xilinx Inc.
M2GL010-FGG484I
Microsemi Corporation
A54SX32A-CQ256M
Microsemi Corporation
A3PN250-2VQ100
Microsemi Corporation
5SGXEA5K2F40I3L
Intel
5SGXMA9N2F45C2LN
Intel
XC7VX690T-1FF1157I
Xilinx Inc.
XC4VLX160-10FF1148C
Xilinx Inc.
XC2V8000-4FFG1152I
Xilinx Inc.
XC2V1500-5FF896I
Xilinx Inc.