casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / SFH9250L
Número de pieza del fabricante | SFH9250L |
---|---|
Número de parte futuro | FT-SFH9250L |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
SFH9250L Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo FET | P-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 200V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 19.5A (Tc) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 5V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 230 mOhm @ 9.8A, 5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 120nC @ 5V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 3250pF @ 25V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | 204W (Tc) |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete del dispositivo del proveedor | TO-3P |
Paquete / Caja | TO-3P-3, SC-65-3 |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SFH9250L Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | SFH9250L-FT |
FQA90N15
ON Semiconductor
TK39J60W5,S1VQ
Toshiba Semiconductor and Storage
TK31J60W,S1VQ
Toshiba Semiconductor and Storage
FQA55N25
ON Semiconductor
FDA24N50
ON Semiconductor
2SK2719(F)
Toshiba Semiconductor and Storage
2SK2744(F)
Toshiba Semiconductor and Storage
2SK2847(F)
Toshiba Semiconductor and Storage
2SK2916(F)
Toshiba Semiconductor and Storage
2SK2917(F)
Toshiba Semiconductor and Storage
ICE40UL640-SWG16ITR50
Lattice Semiconductor Corporation
A54SX16P-VQ100M
Microsemi Corporation
AT40K05AL-1DQC
Microchip Technology
5SGXEA9N2F45I2N
Intel
ICE40LP640-CM36
Lattice Semiconductor Corporation
LFXP2-8E-5FTN256C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO256E-3M100I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO1200E-3MN132I
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SL110F780C3N
Intel
EP3SL110F780I4
Intel