casa / productos / Productos semiconductores discretos / Diodos - Rectificadores - Single / SFF1004GHC0G
Número de pieza del fabricante | SFF1004GHC0G |
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Número de parte futuro | FT-SFF1004GHC0G |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101 |
SFF1004GHC0G Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de diodo | Standard |
Voltaje - Inversión de CC (Vr) (Máx.) | 200V |
Corriente - Promedio Rectificado (Io) | 10A |
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | 975mV @ 10A |
Velocidad | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tiempo de recuperación inverso (trr) | 35ns |
Corriente - Fuga inversa @ Vr | 10µA @ 200V |
Capacitancia a Vr, F | 70pF @ 4V, 1MHz |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete / Caja | TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab |
Paquete del dispositivo del proveedor | ITO-220AB |
Temperatura de funcionamiento - Unión | -55°C ~ 150°C |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SFF1004GHC0G Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | SFF1004GHC0G-FT |
SS36HE3/9AT
Vishay Semiconductor Diodes Division
SS36HE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
SS3H10HE3/57T
Vishay Semiconductor Diodes Division
SS3H10HE3/9AT
Vishay Semiconductor Diodes Division
SS3H10HE3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
SS3H10HE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
SS3H9HE3/57T
Vishay Semiconductor Diodes Division
SS3H9HE3/9AT
Vishay Semiconductor Diodes Division
SS3H9HE3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
SS3H9HE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC4010E-2BG225I
Xilinx Inc.
A3P1000L-FG484I
Microsemi Corporation
A3P1000-PQ208I
Microsemi Corporation
A54SX72A-PQG208A
Microsemi Corporation
5SGXMB5R2F40C2N
Intel
5SGXEA4K1F35I2N
Intel
XC7K325T-2FF900I
Xilinx Inc.
LFEC10E-3QN208C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO3L-2100C-6BG256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SE50F780C2
Intel