casa / productos / Productos semiconductores discretos / Diodos - Rectificadores - Single / SFF1003GHC0G
Número de pieza del fabricante | SFF1003GHC0G |
---|---|
Número de parte futuro | FT-SFF1003GHC0G |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101 |
SFF1003GHC0G Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de diodo | Standard |
Voltaje - Inversión de CC (Vr) (Máx.) | 150V |
Corriente - Promedio Rectificado (Io) | 10A |
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | 975mV @ 5A |
Velocidad | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tiempo de recuperación inverso (trr) | 35ns |
Corriente - Fuga inversa @ Vr | 10µA @ 150V |
Capacitancia a Vr, F | 70pF @ 4V, 1MHz |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete / Caja | TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab |
Paquete del dispositivo del proveedor | ITO-220AB |
Temperatura de funcionamiento - Unión | -55°C ~ 150°C |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SFF1003GHC0G Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | SFF1003GHC0G-FT |
SS35HE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
SS36/7T
Vishay Semiconductor Diodes Division
SS36HE3/57T
Vishay Semiconductor Diodes Division
SS36HE3/9AT
Vishay Semiconductor Diodes Division
SS36HE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
SS3H10HE3/57T
Vishay Semiconductor Diodes Division
SS3H10HE3/9AT
Vishay Semiconductor Diodes Division
SS3H10HE3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
SS3H10HE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
SS3H9HE3/57T
Vishay Semiconductor Diodes Division
A54SX08A-1TQG144I
Microsemi Corporation
LFE2-12E-6T144I
Lattice Semiconductor Corporation
EX128-TQ100A
Microsemi Corporation
XCKU5P-2FFVB676E
Xilinx Inc.
XC7S100-1FGGA676C
Xilinx Inc.
M1A3P400-1PQ208I
Microsemi Corporation
EP1K100FC256-1
Intel
XC7K70T-1FBG484I
Xilinx Inc.
LFX200B-04F256C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-1200HC-4MG132CR1
Lattice Semiconductor Corporation