casa / productos / Productos semiconductores discretos / Diodos - Rectificadores - Single / SFF1001GAHC0G
Número de pieza del fabricante | SFF1001GAHC0G |
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Número de parte futuro | FT-SFF1001GAHC0G |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101 |
SFF1001GAHC0G Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de diodo | Standard |
Voltaje - Inversión de CC (Vr) (Máx.) | 50V |
Corriente - Promedio Rectificado (Io) | 10A |
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | 975mV @ 5A |
Velocidad | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tiempo de recuperación inverso (trr) | 35ns |
Corriente - Fuga inversa @ Vr | 10µA @ 50V |
Capacitancia a Vr, F | 70pF @ 4V, 1MHz |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete / Caja | TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab |
Paquete del dispositivo del proveedor | ITO-220AB |
Temperatura de funcionamiento - Unión | -55°C ~ 150°C |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SFF1001GAHC0G Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | SFF1001GAHC0G-FT |
SS33HE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
SS34-7000HE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
SS34-7001HE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
SS34HE3/57T
Vishay Semiconductor Diodes Division
SS34HE3/9AT
Vishay Semiconductor Diodes Division
SS34HE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
SS35HE3/57T
Vishay Semiconductor Diodes Division
SS35HE3/9AT
Vishay Semiconductor Diodes Division
SS35HE3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
SS35HE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC3S50AN-4TQ144I
Xilinx Inc.
LCMXO1200E-5TN144C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO640E-5T100C
Lattice Semiconductor Corporation
XC7A100T-3FTG256E
Xilinx Inc.
AGL030V2-CSG81I
Microsemi Corporation
EP3SL70F484C4LN
Intel
10M50DAF484I7P
Intel
AGL125V2-QNG132I
Microsemi Corporation
LFE5U-25F-7BG256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K200EBC356-1X
Intel