casa / productos / Productos semiconductores discretos / Diodos - Rectificadores - Single / SF62GHB0G
Número de pieza del fabricante | SF62GHB0G |
---|---|
Número de parte futuro | FT-SF62GHB0G |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101 |
SF62GHB0G Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de diodo | Standard |
Voltaje - Inversión de CC (Vr) (Máx.) | 100V |
Corriente - Promedio Rectificado (Io) | 6A |
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | 975mV @ 6A |
Velocidad | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tiempo de recuperación inverso (trr) | 35ns |
Corriente - Fuga inversa @ Vr | 5µA @ 100V |
Capacitancia a Vr, F | 100pF @ 4V, 1MHz |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete / Caja | DO-201AD, Axial |
Paquete del dispositivo del proveedor | DO-201AD |
Temperatura de funcionamiento - Unión | -55°C ~ 150°C |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SF62GHB0G Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | SF62GHB0G-FT |
HER302G A0G
Taiwan Semiconductor Corporation
HER302G B0G
Taiwan Semiconductor Corporation
HER303G A0G
Taiwan Semiconductor Corporation
HER303G B0G
Taiwan Semiconductor Corporation
HER304G A0G
Taiwan Semiconductor Corporation
HER304G B0G
Taiwan Semiconductor Corporation
HER305G A0G
Taiwan Semiconductor Corporation
HER305G B0G
Taiwan Semiconductor Corporation
HER306G A0G
Taiwan Semiconductor Corporation
HER306G B0G
Taiwan Semiconductor Corporation
A3PE600-2FGG484
Microsemi Corporation
LFE2M70E-7F1152C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S10F484C6N
Intel
EP20K30EFC144-3
Intel
5CGXFC4F6M11C6N
Intel
XC4010XL-3BG256I
Xilinx Inc.
XC2VP7-5FF672I
Xilinx Inc.
XC6VLX240T-3FFG1156C
Xilinx Inc.
LFE2M20E-6F256I
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SL110F780C4
Intel