casa / productos / Productos semiconductores discretos / Diodos - Rectificadores - Single / SF61GHB0G
Número de pieza del fabricante | SF61GHB0G |
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Número de parte futuro | FT-SF61GHB0G |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101 |
SF61GHB0G Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de diodo | Standard |
Voltaje - Inversión de CC (Vr) (Máx.) | 50V |
Corriente - Promedio Rectificado (Io) | 6A |
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | 975mV @ 6A |
Velocidad | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tiempo de recuperación inverso (trr) | 35ns |
Corriente - Fuga inversa @ Vr | 5µA @ 50V |
Capacitancia a Vr, F | 100pF @ 4V, 1MHz |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete / Caja | DO-201AD, Axial |
Paquete del dispositivo del proveedor | DO-201AD |
Temperatura de funcionamiento - Unión | -55°C ~ 150°C |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SF61GHB0G Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | SF61GHB0G-FT |
FR306G B0G
Taiwan Semiconductor Corporation
FR307G B0G
Taiwan Semiconductor Corporation
HER301G A0G
Taiwan Semiconductor Corporation
HER301G B0G
Taiwan Semiconductor Corporation
HER302G A0G
Taiwan Semiconductor Corporation
HER302G B0G
Taiwan Semiconductor Corporation
HER303G A0G
Taiwan Semiconductor Corporation
HER303G B0G
Taiwan Semiconductor Corporation
HER304G A0G
Taiwan Semiconductor Corporation
HER304G B0G
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A1020B-2VQ80C
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LFE3-17EA-6FTN256C
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LCMXO640E-5FTN256C
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A3PN250-Z2VQG100
Microsemi Corporation
EP2C50F484C6N
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EP4SGX290KF40I4N
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XC6VHX250T-2FFG1154I
Xilinx Inc.
10AX090S4F45E3SG
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10AX115H3F34I2LG
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EP3CLS200F780C8
Intel