casa / productos / Productos semiconductores discretos / Diodos - Rectificadores - Arreglos / SDT20120VCT
Número de pieza del fabricante | SDT20120VCT |
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Número de parte futuro | FT-SDT20120VCT |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
SDT20120VCT Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Configuración de diodo | 1 Pair Common Cathode |
Tipo de diodo | Schottky |
Voltaje - Inversión de CC (Vr) (Máx.) | 120V |
Corriente - promedio rectificado (Io) (por diodo) | 10A |
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | 860mV @ 10A |
Velocidad | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tiempo de recuperación inverso (trr) | - |
Corriente - Fuga inversa @ Vr | 120µA @ 120V |
Temperatura de funcionamiento - Unión | -55°C ~ 150°C |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete / Caja | TO-220-3 |
Paquete del dispositivo del proveedor | TO-220AB |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SDT20120VCT Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | SDT20120VCT-FT |
RURD620CCS9A-F085P
ON Semiconductor
DLA5P800UC
IXYS
SB80W06T-P-TL-H
ON Semiconductor
NTSJ30100CTG
ON Semiconductor
NTSJ20100CTG
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NTSJ20U100CTG
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NTSJ30120CTG
ON Semiconductor
MBRF20L45CTG
ON Semiconductor
MBRF30L45CTG
ON Semiconductor
MURHF860CTG
ON Semiconductor
AX1000-FGG484
Microsemi Corporation
LFE3-35EA-8FTN256I
Lattice Semiconductor Corporation
5SGXMA7N3F40I3LN
Intel
5SGXMB6R1F40I2N
Intel
EP2AGX95DF25C4N
Intel
EP4SGX530KH40C4N
Intel
XC5VLX50T-1FFG1136C
Xilinx Inc.
LFXP2-5E-6QN208I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX115N3F45I2SGE2
Intel
EP1S10F780C5
Intel