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Número de pieza del fabricante | SDR2207-3R3M |
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Número de parte futuro | FT-SDR2207-3R3M |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | SDR2207 |
SDR2207-3R3M Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo | Wirewound |
Material - Núcleo | Ferrite |
Inductancia | 3.3µH |
Tolerancia | ±20% |
Valoración actual | 9A |
Corriente - Saturación | 17A |
Blindaje | Unshielded |
Resistencia DC (DCR) | 7.8 mOhm Max |
Q @ Freq | 38 @ 3MHz |
Frecuencia - Auto-resonante | 39MHz |
Calificaciones | - |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 125°C |
Frecuencia de Inductancia - Prueba | 100kHz |
Caracteristicas | - |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | Nonstandard |
Paquete del dispositivo del proveedor | - |
Tamaño / Dimensión | 0.866" L x 0.591" W (22.00mm x 15.00mm) |
Altura - Sentado (Max) | 0.307" (7.80mm) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SDR2207-3R3M Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | SDR2207-3R3M-FT |
SRE6603-220M
Bourns Inc.
SRE6603-221M
Bourns Inc.
SRE6603-222M
Bourns Inc.
SRE6603-330M
Bourns Inc.
SRE6603-331M
Bourns Inc.
SRE6603-3R3M
Bourns Inc.
SRE6603-470M
Bourns Inc.
SRE6603-471M
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SRE6603-4R7M
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SRE6603-681M
Bourns Inc.
LFE2-6SE-5TN144C
Lattice Semiconductor Corporation
XC7A50T-2CSG325I
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AGL1000V2-FG256T
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M1A3P400-2PQ208
Microsemi Corporation
EP3C5F256C6
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M1AGL1000V5-CSG281
Microsemi Corporation
A42MX09-1PQG160
Microsemi Corporation
LFE2M50E-5F900C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO640C-4MN132I
Lattice Semiconductor Corporation
10M04DAU324I7G
Intel