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Número de pieza del fabricante | SDR1005-6R8M |
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Número de parte futuro | FT-SDR1005-6R8M |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | SDR1005 |
SDR1005-6R8M Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo | Wirewound |
Material - Núcleo | Ferrite |
Inductancia | 6.8µH |
Tolerancia | ±20% |
Valoración actual | 3.4A |
Corriente - Saturación | 4.5A |
Blindaje | Unshielded |
Resistencia DC (DCR) | 30 mOhm Max |
Q @ Freq | 56 @ 2MHz |
Frecuencia - Auto-resonante | 31MHz |
Calificaciones | - |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 125°C |
Frecuencia de Inductancia - Prueba | 1kHz |
Caracteristicas | - |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | Nonstandard |
Paquete del dispositivo del proveedor | - |
Tamaño / Dimensión | 0.500" L x 0.394" W (12.70mm x 10.00mm) |
Altura - Sentado (Max) | 0.197" (5.00mm) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SDR1005-6R8M Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | SDR1005-6R8M-FT |
SDR1105-470KL
Bourns Inc.
SDR1105-390KL
Bourns Inc.
SDR1105-680KL
Bourns Inc.
SDR1105-101KL
Bourns Inc.
SDR1105-270ML
Bourns Inc.
SDR1105-100ML
Bourns Inc.
SDR1105-120ML
Bourns Inc.
SDR1105-180ML
Bourns Inc.
SDR1105-560KL
Bourns Inc.
SDR1105-820KL
Bourns Inc.
XC2VP30-6FGG676C
Xilinx Inc.
AGL600V2-FG484I
Microsemi Corporation
APA1000-BGG456I
Microsemi Corporation
A3PN125-1VQ100I
Microsemi Corporation
XC6VLX365T-1FF1156I
Xilinx Inc.
LFE3-95E-7FN672C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX066K2F35I2LG
Intel
5AGXBA5D4F35I5N
Intel
EP2S180F1508C4N
Intel
EPF81188AQC240-4
Intel