casa / productos / Inductores, bobinas, bobinas / Inductores fijos / SDE6603-8R2M
Número de pieza del fabricante | SDE6603-8R2M |
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Número de parte futuro | FT-SDE6603-8R2M |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | SDE6603 |
SDE6603-8R2M Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo | Wirewound |
Material - Núcleo | Ferrite |
Inductancia | 8.2µH |
Tolerancia | ±20% |
Valoración actual | - |
Corriente - Saturación | - |
Blindaje | Unshielded |
Resistencia DC (DCR) | - |
Q @ Freq | - |
Frecuencia - Auto-resonante | - |
Calificaciones | - |
Temperatura de funcionamiento | -25°C ~ 105°C |
Frecuencia de Inductancia - Prueba | 100kHz |
Caracteristicas | - |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | Nonstandard |
Paquete del dispositivo del proveedor | - |
Tamaño / Dimensión | 0.260" L x 0.175" W (6.60mm x 4.45mm) |
Altura - Sentado (Max) | 0.115" (2.92mm) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SDE6603-8R2M Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | SDE6603-8R2M-FT |
IDCS2512ER332M
Vishay Dale
IDCS2512ER3R3M
Vishay Dale
IDCS2512ER470M
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IDCS2512ER471M
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IDCS2512ER472M
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IDCS2512ER4R7M
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IDCS2512ER680M
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IDCS2512ER681M
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IDCS2512ER682M
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IDCS2512ER6R8M
Vishay Dale
XC6SLX150-3FGG900I
Xilinx Inc.
XC2S200-6PQG208C
Xilinx Inc.
M2GL025T-1FCSG325
Microsemi Corporation
EP3C16F484C7
Intel
5SGSMD4K2F40I3L
Intel
EP1M350F780I6N
Intel
LCMXO3LF-9400E-6BG256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2S90F780C4N
Intel
EPF6016QC240-3N
Intel
5SGSMD3H1F35C1N
Intel