casa / productos / Inductores, bobinas, bobinas / Inductores fijos / SDE6603-8R2M
Número de pieza del fabricante | SDE6603-8R2M |
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Número de parte futuro | FT-SDE6603-8R2M |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | SDE6603 |
SDE6603-8R2M Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo | Wirewound |
Material - Núcleo | Ferrite |
Inductancia | 8.2µH |
Tolerancia | ±20% |
Valoración actual | - |
Corriente - Saturación | - |
Blindaje | Unshielded |
Resistencia DC (DCR) | - |
Q @ Freq | - |
Frecuencia - Auto-resonante | - |
Calificaciones | - |
Temperatura de funcionamiento | -25°C ~ 105°C |
Frecuencia de Inductancia - Prueba | 100kHz |
Caracteristicas | - |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | Nonstandard |
Paquete del dispositivo del proveedor | - |
Tamaño / Dimensión | 0.260" L x 0.175" W (6.60mm x 4.45mm) |
Altura - Sentado (Max) | 0.115" (2.92mm) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SDE6603-8R2M Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | SDE6603-8R2M-FT |
IDCS2512ER332M
Vishay Dale
IDCS2512ER3R3M
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IDCS2512ER470M
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IDCS2512ER472M
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IDCS2512ER4R7M
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IDCS2512ER680M
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IDCS2512ER681M
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IDCS2512ER682M
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IDCS2512ER6R8M
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EP1C6T144C7N
Intel
XA6SLX75-3FGG484Q
Xilinx Inc.
XC6SLX75-2FGG484I
Xilinx Inc.
M1AGLE3000V2-FG484
Microsemi Corporation
A54SX32A-PQ208M
Microsemi Corporation
5SGXMA7K2F40C1
Intel
XC7K160T-2FF676C
Xilinx Inc.
10AX115N2F45E1SG
Intel
EP2AGX125EF35C6
Intel
EP2AGZ350FF35I3N
Intel