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STMicroelectronics SCTWA50N120

Name: SCTWA50N120
Brand: STMicroelectronics
SKU: SCTWA50N120
Price: 22.9848 USD
Availability: InStock
Rating: 4.7 (514 reviews)

Número de pieza de MFG: SCTWA50N120

Cantidad disponible: 67030 Piezas

Precio de referencia: USD 22.9848

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fabricante: STMicroelectronics

Breve descripción: - MOSFET N-CH 1200V 65A HIP247

Estado sin plomo / estado RoHS: Cumple con RoHS (sin plomo)

Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL): 1 (ilimitado)

Código de fecha (D / C): Nuevo

categoria de producto: Transistores - FETs, MOSFETs - Single

Recurso de stock: Distribuidor Franquiciado

Garantía: Garantía de calidad de 360 días.

ficha de datos: SCTWA50N120.pdf

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SCTWA50N120 Presupuesto

Número de pieza del fabricante	SCTWA50N120
Número de parte futuro	FT-SCTWA50N120
SPQ / MOQ	Contáctenos
Material de empaque	Reel/Tray/Tube/Others
serie	-
SCTWA50N120 Estado (ciclo de vida)	En stock
Estado de la pieza	Active
Tipo FET	N-Channel
Tecnología	SiCFET (Silicon Carbide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss)	1200V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C	65A (Tc)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado)	20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	69 mOhm @ 40A, 20V
Vgs (th) (Max) @ Id	3V @ 1mA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs	122nC @ 20V
Vgs (Max)	+25V, -10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds	1900pF @ 400V
Característica FET	-
Disipación de potencia (max)	318W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 200°C (TJ)
Tipo de montaje	Through Hole
Paquete del dispositivo del proveedor	HiP247™
Paquete / Caja	TO-247-3
País de origen	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
SCTWA50N120 Peso	Contáctenos
Número de pieza de repuesto	SCTWA50N120-FT

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