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SCT50N120 Image

STMicroelectronics SCT50N120

Número de pieza de MFG
SCT50N120
Cantidad disponible
28530 Piezas
Precio de referencia
USD 33.68
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Fecha de envío
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fabricante
STMicroelectronics
Breve descripción
- MOSFET N-CH 1.2KV TO247-3
Estado sin plomo / estado RoHS
Cumple con RoHS (sin plomo)
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (ilimitado)
Código de fecha (D / C)
Nuevo
categoria de producto
Transistores - FETs, MOSFETs - Single
Recurso de stock
Distribuidor Franquiciado
Garantía
Garantía de calidad de 360 días.
ficha de datos
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Número de parte futuro FT-SCT50N120
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Material de empaque Reel/Tray/Tube/Others
serie -
SCT50N120 Estado (ciclo de vida) En stock
Estado de la pieza Active
Tipo FET N-Channel
Tecnología SiCFET (Silicon Carbide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) 1200V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C 65A (Tc)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 69 mOhm @ 40A, 20V
Vgs (th) (Max) @ Id 3V @ 1mA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs 122nC @ 20V
Vgs (Max) +25V, -10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds 1900pF @ 400V
Característica FET -
Disipación de potencia (max) 318W (Tc)
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 200°C (TJ)
Tipo de montaje Through Hole
Paquete del dispositivo del proveedor HiP247™
Paquete / Caja TO-247-3
País de origen USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
SCT50N120 Peso Contáctenos
Número de pieza de repuesto SCT50N120-FT

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