casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / SCT2H12NZGC11
Número de pieza del fabricante | SCT2H12NZGC11 |
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Número de parte futuro | FT-SCT2H12NZGC11 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
SCT2H12NZGC11 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnología | SiCFET (Silicon Carbide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 1700V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 3.7A (Tc) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 18V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.5 Ohm @ 1.1A, 18V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 900µA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 14nC @ 18V |
Vgs (Max) | +22V, -6V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 184pF @ 800V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | 35W (Tc) |
Temperatura de funcionamiento | 175°C (TJ) |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete del dispositivo del proveedor | TO-3PFM |
Paquete / Caja | TO-3PFM, SC-93-3 |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SCT2H12NZGC11 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | SCT2H12NZGC11-FT |
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