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Rohm Semiconductor SCT2080KEC
- Número de pieza de MFG
- SCT2080KEC
- Cantidad disponible
- 49940 Piezas
- Precio de referencia
- USD 18.704
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- Fecha de envío
- Podemos enviar hoy
- fabricante
- Rohm Semiconductor
- Breve descripción
- - MOSFET N-CH 1200V 40A TO-247
- Estado sin plomo / estado RoHS
- Cumple con RoHS (sin plomo)
- Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
- 1 (ilimitado)
- Código de fecha (D / C)
- Nuevo
- categoria de producto
- Transistores - FETs, MOSFETs - Single
- Recurso de stock
- Distribuidor Franquiciado
- Garantía
- Garantía de calidad de 360 días.
- ficha de datos
- SCT2080KEC.pdf
SCT2080KEC Presupuesto
| Número de pieza del fabricante | SCT2080KEC |
|---|---|
| Número de parte futuro | FT-SCT2080KEC |
| SPQ / MOQ | Contáctenos |
| Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
| serie | - |
| SCT2080KEC Estado (ciclo de vida) | En stock |
| Estado de la pieza | Active |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnología | SiCFET (Silicon Carbide) |
| Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 1200V |
| Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 40A (Tc) |
| Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 18V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 117 mOhm @ 10A, 18V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 4.4mA |
| Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 106nC @ 18V |
| Vgs (Max) | +22V, -6V |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 2080pF @ 800V |
| Característica FET | - |
| Disipación de potencia (max) | 262W (Tc) |
| Temperatura de funcionamiento | 175°C (TJ) |
| Tipo de montaje | Through Hole |
| Paquete del dispositivo del proveedor | TO-247 |
| Paquete / Caja | TO-247-3 |
| País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
| SCT2080KEC Peso | Contáctenos |
| Número de pieza de repuesto | SCT2080KEC-FT |
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