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STMicroelectronics SCT10N120

Name: SCT10N120
Brand: STMicroelectronics
SKU: SCT10N120
Price: 9.904 USD
Availability: InStock
Rating: 4.7 (489 reviews)

Número de pieza de MFG: SCT10N120

Cantidad disponible: 96560 Piezas

Precio de referencia: USD 9.904

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Fecha de envío: Podemos enviar hoy

fabricante: STMicroelectronics

Breve descripción: - MOSFET N-CH 1.2KV TO247-3

Estado sin plomo / estado RoHS: Cumple con RoHS (sin plomo)

Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL): 1 (ilimitado)

Código de fecha (D / C): Nuevo

categoria de producto: Transistores - FETs, MOSFETs - Single

Recurso de stock: Distribuidor Franquiciado

Garantía: Garantía de calidad de 360 días.

ficha de datos: SCT10N120.pdf

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SCT10N120 Presupuesto

Número de pieza del fabricante	SCT10N120
Número de parte futuro	FT-SCT10N120
SPQ / MOQ	Contáctenos
Material de empaque	Reel/Tray/Tube/Others
serie	-
SCT10N120 Estado (ciclo de vida)	En stock
Estado de la pieza	Active
Tipo FET	N-Channel
Tecnología	SiCFET (Silicon Carbide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss)	1200V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C	12A (Tc)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado)	20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	690 mOhm @ 6A, 20V
Vgs (th) (Max) @ Id	3.5V @ 250µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs	22nC @ 20V
Vgs (Max)	+25V, -10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds	290pF @ 400V
Característica FET	-
Disipación de potencia (max)	150W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 200°C (TJ)
Tipo de montaje	Through Hole
Paquete del dispositivo del proveedor	HiP247™
Paquete / Caja	TO-247-3
País de origen	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
SCT10N120 Peso	Contáctenos
Número de pieza de repuesto	SCT10N120-FT

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