casa / productos / Productos semiconductores discretos / Diodos - Rectificadores - Arreglos / SCNAR10
Número de pieza del fabricante | SCNAR10 |
---|---|
Número de parte futuro | FT-SCNAR10 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
SCNAR10 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Configuración de diodo | - |
Tipo de diodo | - |
Voltaje - Inversión de CC (Vr) (Máx.) | 1000V |
Corriente - promedio rectificado (Io) (por diodo) | 22.5A |
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | 1V @ 9A |
Velocidad | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Tiempo de recuperación inverso (trr) | 2µs |
Corriente - Fuga inversa @ Vr | 3µA @ 1000V |
Temperatura de funcionamiento - Unión | -55°C ~ 150°C |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete / Caja | Module |
Paquete del dispositivo del proveedor | - |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SCNAR10 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | SCNAR10-FT |
LD410860
Powerex Inc.
LD411060
Powerex Inc.
LD411260
Powerex Inc.
LD411460
Powerex Inc.
LD411860
Powerex Inc.
LD412060
Powerex Inc.
LD412260
Powerex Inc.
LD412460
Powerex Inc.
ND410826
Powerex Inc.
ND411226
Powerex Inc.
AT40K05-2BQI
Microchip Technology
LFEC6E-4TN144C
Lattice Semiconductor Corporation
5SGXEB9R2H43I2L
Intel
XC7A200T-1FBG484C
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XC7VX330T-1FFG1761I
Xilinx Inc.
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LFX125EB-04F256C
Lattice Semiconductor Corporation
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