casa / productos / Productos semiconductores discretos / Diodos - Rectificadores - Arreglos / SCNAR10
Número de pieza del fabricante | SCNAR10 |
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Número de parte futuro | FT-SCNAR10 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
SCNAR10 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Configuración de diodo | - |
Tipo de diodo | - |
Voltaje - Inversión de CC (Vr) (Máx.) | 1000V |
Corriente - promedio rectificado (Io) (por diodo) | 22.5A |
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | 1V @ 9A |
Velocidad | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Tiempo de recuperación inverso (trr) | 2µs |
Corriente - Fuga inversa @ Vr | 3µA @ 1000V |
Temperatura de funcionamiento - Unión | -55°C ~ 150°C |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete / Caja | Module |
Paquete del dispositivo del proveedor | - |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SCNAR10 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | SCNAR10-FT |
LD410860
Powerex Inc.
LD411060
Powerex Inc.
LD411260
Powerex Inc.
LD411460
Powerex Inc.
LD411860
Powerex Inc.
LD412060
Powerex Inc.
LD412260
Powerex Inc.
LD412460
Powerex Inc.
ND410826
Powerex Inc.
ND411226
Powerex Inc.
A40MX04-VQ80
Microsemi Corporation
XC2V4000-4FF1517I
Xilinx Inc.
M1AFS1500-FG256
Microsemi Corporation
A1020B-1PL68I
Microsemi Corporation
10CX150YF672E6G
Intel
A54SX16A-FGG144I
Microsemi Corporation
LFE2-12E-5F484I
Lattice Semiconductor Corporation
5CGXFC5C6F23C7N
Intel
10AX066K2F35I2SGES
Intel
EP2SGX90FF1508C3N
Intel