Número de pieza del fabricante | SCNA1 |
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Número de parte futuro | FT-SCNA1 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
SCNA1 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Configuración de diodo | - |
Tipo de diodo | - |
Voltaje - Inversión de CC (Vr) (Máx.) | 100V |
Corriente - promedio rectificado (Io) (por diodo) | 7.5A |
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | 1V @ 3A |
Velocidad | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Tiempo de recuperación inverso (trr) | 2µs |
Corriente - Fuga inversa @ Vr | 1µA @ 100V |
Temperatura de funcionamiento - Unión | -55°C ~ 150°C |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete / Caja | Module |
Paquete del dispositivo del proveedor | - |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SCNA1 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | SCNA1-FT |
BAV23SQ-7-F
Diodes Incorporated
DD231N20K
Infineon Technologies
DD46S10K
Infineon Technologies
DD800S17K3_B2
Infineon Technologies
DD82S04K
Infineon Technologies
LD410860
Powerex Inc.
LD411060
Powerex Inc.
LD411260
Powerex Inc.
LD411460
Powerex Inc.
LD411860
Powerex Inc.
LCMXO2-1200ZE-1TG100C
Lattice Semiconductor Corporation
XC4005E-4PQ208I
Xilinx Inc.
M2GL090-1FCSG325I
Microsemi Corporation
XC6SLX25T-3FGG484I
Xilinx Inc.
A54SX08A-2PQG208
Microsemi Corporation
LCMXO3L-2100E-5UWG49CTR1K
Lattice Semiconductor Corporation
EP4CE75F23I7
Intel
EP2SGX60EF1152I4N
Intel
A3P250-1FGG144T
Microsemi Corporation
EP1AGX35DF780C6N
Intel