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Número de pieza del fabricante | SCH114-6R8 |
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Número de parte futuro | FT-SCH114-6R8 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | SCH114 |
SCH114-6R8 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo | Wirewound |
Material - Núcleo | - |
Inductancia | 6.8µH |
Tolerancia | ±30% |
Valoración actual | 3.7A |
Corriente - Saturación | 4.5A |
Blindaje | Unshielded |
Resistencia DC (DCR) | 54 mOhm Max |
Q @ Freq | - |
Frecuencia - Auto-resonante | - |
Calificaciones | - |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 125°C |
Frecuencia de Inductancia - Prueba | 100kHz |
Caracteristicas | - |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | Nonstandard |
Paquete del dispositivo del proveedor | - |
Tamaño / Dimensión | 0.409" L x 0.409" W (10.40mm x 10.40mm) |
Altura - Sentado (Max) | 0.193" (4.90mm) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SCH114-6R8 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | SCH114-6R8-FT |
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XC3S500E-4VQG100I
Xilinx Inc.
A54SX32A-2TQG176I
Microsemi Corporation
M2GL025T-1FGG484
Microsemi Corporation
10AX032E3F29I2SG
Intel
EP4CGX22BF14C8N
Intel
EP4SE530H40I3N
Intel
5SGXEA4H2F35I2N
Intel
A40MX02-1PQ100M
Microsemi Corporation
LFEC10E-4F256I
Lattice Semiconductor Corporation
EP2SGX130GF40C4NES
Intel