casa / productos / Productos semiconductores discretos / Diodos - Rectificadores - Arreglos / SBR660CTL-13
Número de pieza del fabricante | SBR660CTL-13 |
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Número de parte futuro | FT-SBR660CTL-13 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | SBR® |
SBR660CTL-13 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Configuración de diodo | 1 Pair Common Cathode |
Tipo de diodo | Super Barrier |
Voltaje - Inversión de CC (Vr) (Máx.) | 60V |
Corriente - promedio rectificado (Io) (por diodo) | 3A |
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | 570mV @ 3A |
Velocidad | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tiempo de recuperación inverso (trr) | - |
Corriente - Fuga inversa @ Vr | 500µA @ 60V |
Temperatura de funcionamiento - Unión | -65°C ~ 150°C |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Paquete del dispositivo del proveedor | TO-252, (D-Pak) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SBR660CTL-13 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | SBR660CTL-13-FT |
BAV70T-7
Diodes Incorporated
BAV99T-7
Diodes Incorporated
BAW156T-7
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BAT54ATA
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LCMXO2-1200ZE-1TG100C
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XC4005E-4PQ208I
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M2GL090-1FCSG325I
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XC6SLX25T-3FGG484I
Xilinx Inc.
A54SX08A-2PQG208
Microsemi Corporation
LCMXO3L-2100E-5UWG49CTR1K
Lattice Semiconductor Corporation
EP4CE75F23I7
Intel
EP2SGX60EF1152I4N
Intel
A3P250-1FGG144T
Microsemi Corporation
EP1AGX35DF780C6N
Intel