casa / productos / Productos semiconductores discretos / Diodos - Rectificadores - Arreglos / SBR30E100CT
Número de pieza del fabricante | SBR30E100CT |
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Número de parte futuro | FT-SBR30E100CT |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | SBR |
SBR30E100CT Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Configuración de diodo | 1 Pair Common Cathode |
Tipo de diodo | Super Barrier |
Voltaje - Inversión de CC (Vr) (Máx.) | 100V |
Corriente - promedio rectificado (Io) (por diodo) | 15A |
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | 800mV @ 15A |
Velocidad | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Tiempo de recuperación inverso (trr) | - |
Corriente - Fuga inversa @ Vr | 100µA @ 100V |
Temperatura de funcionamiento - Unión | -65°C ~ 175°C |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete / Caja | TO-220-3 |
Paquete del dispositivo del proveedor | TO-220AB |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SBR30E100CT Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | SBR30E100CT-FT |
STPS20M80CFP
STMicroelectronics
STPS20SM80CFP
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STPS40SM80CFP
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VS-20CTH03FPPBF
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SDT40A100VCT
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Xilinx Inc.
A42MX16-VQ100M
Microsemi Corporation
EP3C10F256C6
Intel
5SGXMA7H3F35C2LN
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XC7VX415T-1FF1157I
Xilinx Inc.
XC6VLX195T-3FFG784C
Xilinx Inc.
LFE3-150EA-7LFN1156I
Lattice Semiconductor Corporation
5AGTFD3H3F35I3N
Intel