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Número de pieza del fabricante | SBR10U200CTB-13 |
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Número de parte futuro | FT-SBR10U200CTB-13 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | SBR® |
SBR10U200CTB-13 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Configuración de diodo | 1 Pair Common Cathode |
Tipo de diodo | Super Barrier |
Voltaje - Inversión de CC (Vr) (Máx.) | 200V |
Corriente - promedio rectificado (Io) (por diodo) | 5A |
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | 820mV @ 5A |
Velocidad | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tiempo de recuperación inverso (trr) | 30ns |
Corriente - Fuga inversa @ Vr | 200µA @ 200V |
Temperatura de funcionamiento - Unión | -65°C ~ 175°C |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Paquete del dispositivo del proveedor | TO-263AB (D²PAK) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SBR10U200CTB-13 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | SBR10U200CTB-13-FT |
SBR30A45CTFP
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XC6SLX150T-3FGG676C
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LFE2M70SE-6F1152I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO3L-4300C-6BG324C
Lattice Semiconductor Corporation
5SGXEA3K2F40C3N
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EP3SL200H780I3N
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EP2AGX125DF25I3
Intel
5SGXEA9K2H40I3L
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XC7VX485T-3FFG1157E
Xilinx Inc.
EP2AGX125EF29C5NES
Intel
EP1S30F780C8N
Intel