Número de pieza del fabricante | SB360-B |
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Número de parte futuro | FT-SB360-B |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
SB360-B Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo de diodo | Schottky |
Voltaje - Inversión de CC (Vr) (Máx.) | 60V |
Corriente - Promedio Rectificado (Io) | 3A |
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | 740mV @ 3A |
Velocidad | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tiempo de recuperación inverso (trr) | - |
Corriente - Fuga inversa @ Vr | 500µA @ 60V |
Capacitancia a Vr, F | - |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete / Caja | DO-201AD, Axial |
Paquete del dispositivo del proveedor | DO-201AD |
Temperatura de funcionamiento - Unión | -65°C ~ 150°C |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SB360-B Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | SB360-B-FT |
S2120
Microsemi Corporation
S2140
Microsemi Corporation
S2160
Microsemi Corporation
S2180
Microsemi Corporation
S25100
Microsemi Corporation
S25120
Microsemi Corporation
S25140
Microsemi Corporation
S25160
Microsemi Corporation
S2520
Microsemi Corporation
S2540
Microsemi Corporation
XC4010E-2BG225I
Xilinx Inc.
A3P1000L-FG484I
Microsemi Corporation
A3P1000-PQ208I
Microsemi Corporation
A54SX72A-PQG208A
Microsemi Corporation
5SGXMB5R2F40C2N
Intel
5SGXEA4K1F35I2N
Intel
XC7K325T-2FF900I
Xilinx Inc.
LFEC10E-3QN208C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO3L-2100C-6BG256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SE50F780C2
Intel