casa / productos / Productos semiconductores discretos / Diodos - Rectificadores - Single / SB180E-G
Número de pieza del fabricante | SB180E-G |
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Número de parte futuro | FT-SB180E-G |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
SB180E-G Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de diodo | Schottky |
Voltaje - Inversión de CC (Vr) (Máx.) | 80V |
Corriente - Promedio Rectificado (Io) | 1A |
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | 850mV @ 1A |
Velocidad | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tiempo de recuperación inverso (trr) | - |
Corriente - Fuga inversa @ Vr | 500µA @ 80V |
Capacitancia a Vr, F | 110pF @ 4V, 1MHz |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete / Caja | DO-204AL, DO-41, Axial |
Paquete del dispositivo del proveedor | DO-41 |
Temperatura de funcionamiento - Unión | -60°C ~ 150°C |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SB180E-G Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | SB180E-G-FT |
CSFC304-G
Comchip Technology
CSFC305-G
Comchip Technology
CURC301-G
Comchip Technology
CURC302-G
Comchip Technology
CURC303-G
Comchip Technology
CURC304-G
Comchip Technology
CURC305-G
Comchip Technology
CURC306-G
Comchip Technology
CDBC240SLR-HF
Comchip Technology
CDBC260SLR-HF
Comchip Technology
A54SX16A-1TQ144I
Microsemi Corporation
XC7A75T-3FGG484E
Xilinx Inc.
M1A3P1000L-1FGG484I
Microsemi Corporation
APA1000-CQ352M
Microsemi Corporation
EP2C8F256C8N
Intel
5SGXEBBR1H43C2L
Intel
XC2V2000-4FFG896C
Xilinx Inc.
LCMXO256E-4M100C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S10F780C6
Intel
EP4SGX110HF35I3
Intel