casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Embebido - Microcontroladores / S9S12GN16BVTJ
Número de pieza del fabricante | S9S12GN16BVTJ |
---|---|
Número de parte futuro | FT-S9S12GN16BVTJ |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | HCS12 |
S9S12GN16BVTJ Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Procesador central | 12V1 |
Tamaño del núcleo | 16-Bit |
Velocidad | 25MHz |
Conectividad | IrDA, LINbus, SCI, SPI |
Periféricos | LVD, POR, PWM, WDT |
Número de E / S | 14 |
Tamaño de la memoria del programa | 16KB (16K x 8) |
Tipo de memoria del programa | FLASH |
Tamaño EEPROM | 512 x 8 |
Tamaño de RAM | 1K x 8 |
Voltaje - Suministro (Vcc / Vdd) | 3.13V ~ 5.5V |
Convertidores de datos | A/D 8x10b |
Tipo de oscilador | Internal |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 105°C (TA) |
Paquete / Caja | Surface Mount |
Paquete del dispositivo del proveedor | 20-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) |
20-TSSOP | |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
S9S12GN16BVTJ Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | S9S12GN16BVTJ-FT |
S9S08SG16E1MTJR
NXP USA Inc.
S9S08SG32E1CTJR
NXP USA Inc.
S9S08SG8E2CTJR
NXP USA Inc.
S9S08SG8E2MTJR
NXP USA Inc.
S9S08SG8E2VTJR
NXP USA Inc.
S9S08SL16F1MTJR
NXP USA Inc.
MC9S08PA4AVTJ
NXP USA Inc.
MC9S08SF4MTJ
NXP USA Inc.
MC9S08SH8MTJ
NXP USA Inc.
S9S08SG4E2MTJ
NXP USA Inc.
LCMXO1200C-4T144I
Lattice Semiconductor Corporation
XC6SLX45-2FG676I
Xilinx Inc.
XC2S150-5FG456C
Xilinx Inc.
M2GL025-1FGG484I
Microsemi Corporation
LFE2M70E-7FN1152C
Lattice Semiconductor Corporation
M1A3P250-1VQG100I
Microsemi Corporation
XC7K325T-1FF900C
Xilinx Inc.
LFE2M70E-5FN900I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2M20E-6FN256I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO3L-6900C-6BG256I
Lattice Semiconductor Corporation