casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / S72VS256RE0AHBJ10
Número de pieza del fabricante | S72VS256RE0AHBJ10 |
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Número de parte futuro | FT-S72VS256RE0AHBJ10 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | VS-R |
S72VS256RE0AHBJ10 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de memoria | Non-Volatile |
Formato de memoria | FLASH, RAM |
Tecnología | FLASH, DRAM |
Tamaño de la memoria | 256Mbit Flash, 2565Mbit DDR DRAM |
Frecuencia de reloj | 108MHz |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | - |
Tiempo de acceso | - |
interfaz de memoria | Parallel |
Suministro de voltaje | 1.7V ~ 1.95V |
Temperatura de funcionamiento | -25°C ~ 85°C (TA) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 133-VFBGA |
Paquete del dispositivo del proveedor | 133-FBGA (8x8) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
S72VS256RE0AHBJ10 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | S72VS256RE0AHBJ10-FT |
S30MS01GP25TFW000
Cypress Semiconductor Corp
S30MS01GP25TFW003
Cypress Semiconductor Corp
S30MS01GP25TFW010A
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S30MS01GP25TFW500
Cypress Semiconductor Corp
S30MS01GP25TFW503
Cypress Semiconductor Corp
S30MS01GP25TFW510
Cypress Semiconductor Corp
S30MS01GP25TFW510A
Cypress Semiconductor Corp
S30MS01GR25TFW000
Cypress Semiconductor Corp
S30MS01GR25TFW010
Cypress Semiconductor Corp
S30MS01GR25TFW100
Cypress Semiconductor Corp