Número de pieza del fabricante | S6MR |
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Número de parte futuro | FT-S6MR |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
S6MR Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de diodo | Standard, Reverse Polarity |
Voltaje - Inversión de CC (Vr) (Máx.) | 1000V |
Corriente - Promedio Rectificado (Io) | 6A |
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | 1.1V @ 6A |
Velocidad | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Tiempo de recuperación inverso (trr) | - |
Corriente - Fuga inversa @ Vr | 10µA @ 100V |
Capacitancia a Vr, F | - |
Tipo de montaje | Chassis, Stud Mount |
Paquete / Caja | DO-203AA, DO-4, Stud |
Paquete del dispositivo del proveedor | DO-4 |
Temperatura de funcionamiento - Unión | -65°C ~ 175°C |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
S6MR Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | S6MR-FT |
NSR05T30P2T5G
ON Semiconductor
NSR0630P2T5G
ON Semiconductor
RURP15100-F085P
ON Semiconductor
S12BR
GeneSiC Semiconductor
S12DR
GeneSiC Semiconductor
S12G
GeneSiC Semiconductor
S12GR
GeneSiC Semiconductor
S12J
GeneSiC Semiconductor
S12JR
GeneSiC Semiconductor
S12K
GeneSiC Semiconductor
XC3SD3400A-4CS484C
Xilinx Inc.
XC2S50-6FG256C
Xilinx Inc.
M1A3P600-2FG484
Microsemi Corporation
A3P600-1FGG256
Microsemi Corporation
EP4SE360H29I3N
Intel
XC7K410T-3FFG900E
Xilinx Inc.
A42MX16-1TQG176M
Microsemi Corporation
LFE3-70EA-6FN672C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2SGX60DF780C5N
Intel
EP1S40F1020I6N
Intel