casa / productos / Productos semiconductores discretos / Tiristores - SCRs / S6006NS2TP
Número de pieza del fabricante | S6006NS2TP |
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Número de parte futuro | FT-S6006NS2TP |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
S6006NS2TP Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Voltaje - Estado apagado | 600V |
Voltaje - Gatillo de la puerta (Vgt) (Máx.) | 800mV |
Corriente - gatillo de la puerta (Igt) (Max) | 200µA |
Voltaje - En estado (Vtm) (Máx.) | 1.6V |
Estado actual de encendido (It (AV)) (Max) | 3.8A |
Estado actual de encendido (It (RMS)) (Max) | 6A |
Corriente - Mantener (Ih) (Max) | 6mA |
Estado actual de apagado (máx.) | 5µA |
Corriente - No Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm) | 83A, 100A |
Tipo SCR | Sensitive Gate |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 110°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Paquete del dispositivo del proveedor | TO-263 (D2Pak) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
S6006NS2TP Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | S6006NS2TP-FT |
VS-181RKI100
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-181RKI100PBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-181RKI40
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-181RKI40PBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-181RKI80
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-181RKI80PBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-80RIA40M
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-80RIA40MPBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-80RIA40PBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-80RIA80PBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
XCV405E-6FG676C
Xilinx Inc.
AFS250-FG256
Microsemi Corporation
LFE2-70SE-7F900C
Lattice Semiconductor Corporation
5SGXEA5H3F35C2LN
Intel
XC6SLX16-3CPG196C
Xilinx Inc.
M1AGL1000V5-CS281
Microsemi Corporation
LCMXO2-4000HE-4FTG256I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX066H2F34E2LG
Intel
EP1C20F324C8
Intel
EPF8820ARC208-2
Intel