casa / productos / Productos semiconductores discretos / Diodos - Rectificadores - Single / S5MHE3/57T
Número de pieza del fabricante | S5MHE3/57T |
---|---|
Número de parte futuro | FT-S5MHE3/57T |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
S5MHE3/57T Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo de diodo | Standard |
Voltaje - Inversión de CC (Vr) (Máx.) | 1000V |
Corriente - Promedio Rectificado (Io) | 5A |
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | 1.15V @ 5A |
Velocidad | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Tiempo de recuperación inverso (trr) | 2.5µs |
Corriente - Fuga inversa @ Vr | 10µA @ 1000V |
Capacitancia a Vr, F | 40pF @ 4V, 1MHz |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | DO-214AB, SMC |
Paquete del dispositivo del proveedor | DO-214AB (SMC) |
Temperatura de funcionamiento - Unión | -55°C ~ 150°C |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
S5MHE3/57T Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | S5MHE3/57T-FT |
ES3FHE3/57T
Vishay Semiconductor Diodes Division
ES3FHE3/9AT
Vishay Semiconductor Diodes Division
ES3FHE3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
ES3FHE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
ES3G-E3/9AT
Vishay Semiconductor Diodes Division
ES3G-M3/57T
Vishay Semiconductor Diodes Division
ES3G-M3/9AT
Vishay Semiconductor Diodes Division
ES3GHE3/57T
Vishay Semiconductor Diodes Division
ES3GHE3/9AT
Vishay Semiconductor Diodes Division
ES3GHE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
LCMXO2-1200HC-6TG100I
Lattice Semiconductor Corporation
XC3S200-5VQ100C
Xilinx Inc.
10M04SAU169C8G
Intel
10AX027H4F35E3LG
Intel
10M50SAE144I7G
Intel
XC6SLX4-2CSG225C
Xilinx Inc.
XC6SLX45-2CSG324I
Xilinx Inc.
ICE40LM2K-CM49TR1K
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SL50F780C4L
Intel
EPF10K50EQC208-1N
Intel