casa / productos / Productos semiconductores discretos / Diodos - Rectificadores - Single / S5B-M3/9AT
Número de pieza del fabricante | S5B-M3/9AT |
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Número de parte futuro | FT-S5B-M3/9AT |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
S5B-M3/9AT Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de diodo | Standard |
Voltaje - Inversión de CC (Vr) (Máx.) | 100V |
Corriente - Promedio Rectificado (Io) | 5A |
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | 1.15V @ 5A |
Velocidad | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Tiempo de recuperación inverso (trr) | 2.5µs |
Corriente - Fuga inversa @ Vr | 10µA @ 100V |
Capacitancia a Vr, F | 40pF @ 4V, 1MHz |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | DO-214AB, SMC |
Paquete del dispositivo del proveedor | DO-214AB (SMC) |
Temperatura de funcionamiento - Unión | -55°C ~ 150°C |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
S5B-M3/9AT Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | S5B-M3/9AT-FT |
U3D-E3/57T
Vishay Semiconductor Diodes Division
ESH3D-E3/57T
Vishay Semiconductor Diodes Division
ESH3DHE3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
RS3G-E3/57T
Vishay Semiconductor Diodes Division
S5B-E3/57T
Vishay Semiconductor Diodes Division
S5G-E3/57T
Vishay Semiconductor Diodes Division
VSSC520S-M3/57T
Vishay Semiconductor Diodes Division
S3BHE3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
S5GHE3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
S5MHE3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC2V1500-4FGG676C
Xilinx Inc.
XC4010E-1PQ208C
Xilinx Inc.
XC3S700AN-4FGG484C
Xilinx Inc.
AGL600V2-FGG484
Microsemi Corporation
10AX027H3F35E2LG
Intel
A1020B-PL44I
Microsemi Corporation
XCV150-6BG256C
Xilinx Inc.
XC6VHX380T-2FFG1154C
Xilinx Inc.
XC6SLX25-3CSG324I
Xilinx Inc.
EP2AGX125EF29C5NES
Intel