Número de pieza del fabricante | S4B R7G |
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Número de parte futuro | FT-S4B R7G |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
S4B R7G Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Not For New Designs |
Tipo de diodo | Standard |
Voltaje - Inversión de CC (Vr) (Máx.) | 100V |
Corriente - Promedio Rectificado (Io) | 4A |
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | 1.15V @ 4A |
Velocidad | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tiempo de recuperación inverso (trr) | - |
Corriente - Fuga inversa @ Vr | 10µA @ 100V |
Capacitancia a Vr, F | 60pF @ 4V, 1MHz |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | DO-214AB, SMC |
Paquete del dispositivo del proveedor | DO-214AB (SMC) |
Temperatura de funcionamiento - Unión | -55°C ~ 150°C |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
S4B R7G Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | S4B R7G-FT |
ESH1GM RSG
Taiwan Semiconductor Corporation
SS16M RSG
Taiwan Semiconductor Corporation
SS22MHRSG
Taiwan Semiconductor Corporation
ESH1JM RSG
Taiwan Semiconductor Corporation
S1GM RSG
Taiwan Semiconductor Corporation
S1GMHRSG
Taiwan Semiconductor Corporation
SS13M RSG
Taiwan Semiconductor Corporation
SS13MHRSG
Taiwan Semiconductor Corporation
SS14MHRSG
Taiwan Semiconductor Corporation
SS22M RSG
Taiwan Semiconductor Corporation
A3P125-2PQ208I
Microsemi Corporation
EP3SL50F484I4N
Intel
10M16DAF256I7G
Intel
EP1K30FC256-2N
Intel
EP3SE80F1152C2
Intel
XC7K160T-2FF676C
Xilinx Inc.
AGLP060V2-CS289
Microsemi Corporation
LFXP2-5E-5QN208C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO640C-3BN256I
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXMA3D4F31I3G
Intel