Número de pieza del fabricante | S3N |
---|---|
Número de parte futuro | FT-S3N |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
S3N Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de diodo | Standard |
Voltaje - Inversión de CC (Vr) (Máx.) | 1200V |
Corriente - Promedio Rectificado (Io) | 3A |
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | 1.2V @ 3A |
Velocidad | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Tiempo de recuperación inverso (trr) | 2.5µs |
Corriente - Fuga inversa @ Vr | 5µA @ 1200V |
Capacitancia a Vr, F | 60pF @ 4V, 1MHz |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | DO-214AB, SMC |
Paquete del dispositivo del proveedor | SMC (DO-214AB) |
Temperatura de funcionamiento - Unión | -55°C ~ 150°C |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
S3N Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | S3N-FT |
1N1190A
GeneSiC Semiconductor
1N1190
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1N1188R
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1N1188
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1N1186A
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1N1184R
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1N1184AR
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1N1184
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A3PN020-QNG68
Microsemi Corporation
XC3S1400A-4FT256I
Xilinx Inc.
XC6SLX16-3FT256C
Xilinx Inc.
XC7A200T-1FBG676I
Xilinx Inc.
A54SX08A-PQ208I
Microsemi Corporation
LFE5U-12F-7BG381C
Lattice Semiconductor Corporation
A3PN060-Z1VQG100I
Microsemi Corporation
XC5VLX220T-1FFG1738C
Xilinx Inc.
LCMXO640E-3M100C
Lattice Semiconductor Corporation
5CEFA4M13C8N
Intel