Número de pieza del fabricante | S3M V6G |
---|---|
Número de parte futuro | FT-S3M V6G |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
S3M V6G Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de diodo | Standard |
Voltaje - Inversión de CC (Vr) (Máx.) | - |
Corriente - Promedio Rectificado (Io) | 3A |
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | - |
Velocidad | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Tiempo de recuperación inverso (trr) | 1.5µs |
Corriente - Fuga inversa @ Vr | 10µA @ 1000V |
Capacitancia a Vr, F | 60pF @ 4V, 1MHz |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | DO-214AB, SMC |
Paquete del dispositivo del proveedor | DO-214AB (SMC) |
Temperatura de funcionamiento - Unión | -55°C ~ 150°C |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
S3M V6G Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | S3M V6G-FT |
MUR320S V6G
Taiwan Semiconductor Corporation
MUR340S V6G
Taiwan Semiconductor Corporation
MUR340S V7G
Taiwan Semiconductor Corporation
MUR340SB M4G
Taiwan Semiconductor Corporation
MUR340SBHM4G
Taiwan Semiconductor Corporation
MUR360S V6G
Taiwan Semiconductor Corporation
MUR360SB M4G
Taiwan Semiconductor Corporation
MUR420S V6G
Taiwan Semiconductor Corporation
MUR440S V6G
Taiwan Semiconductor Corporation
MUR460S V6G
Taiwan Semiconductor Corporation
A3P400-1FG484I
Microsemi Corporation
M1A3P1000-FGG256
Microsemi Corporation
10M50DCF256C7G
Intel
5SGXEA7N2F40C2N
Intel
EP3SE260H780I3
Intel
XC7V585T-1FF1761I
Xilinx Inc.
M1A3P1000L-1FGG144I
Microsemi Corporation
LFE2-20E-7FN256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3C25F324C6
Intel
5SGXEA3H1F35C2N
Intel