Número de pieza del fabricante | S3HVM10 |
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Número de parte futuro | FT-S3HVM10 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
S3HVM10 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de diodo | Standard |
Voltaje - Inversión de CC (Vr) (Máx.) | 10000V |
Corriente - Promedio Rectificado (Io) | 1.2A |
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | 11.5V @ 3A |
Velocidad | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Tiempo de recuperación inverso (trr) | 2.5µs |
Corriente - Fuga inversa @ Vr | 1µA @ 10000V |
Capacitancia a Vr, F | - |
Tipo de montaje | Chassis, Stud Mount |
Paquete / Caja | Module |
Paquete del dispositivo del proveedor | - |
Temperatura de funcionamiento - Unión | -55°C ~ 150°C |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
S3HVM10 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | S3HVM10-FT |
A180RB
Powerex Inc.
A180RD
Powerex Inc.
A180RM
Powerex Inc.
A180RN
Powerex Inc.
A180RP
Powerex Inc.
A180RPB
Powerex Inc.
A180RPD
Powerex Inc.
A180RPE
Powerex Inc.
A187B
Powerex Inc.
A187D
Powerex Inc.
A54SX32A-TQ144
Microsemi Corporation
M1AFS1500-FGG484
Microsemi Corporation
APA150-FG256I
Microsemi Corporation
EP4CE15F17C8L
Intel
5SGXEA7N3F40C2L
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5SGXEB6R3F43C4N
Intel
LFXP6E-4F256C
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LFE2-20E-6FN672I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO640C-4M100I
Lattice Semiconductor Corporation
EP1K30QC208-2N
Intel