Número de pieza del fabricante | S3BHM6G |
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Número de parte futuro | FT-S3BHM6G |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101 |
S3BHM6G Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de diodo | Standard |
Voltaje - Inversión de CC (Vr) (Máx.) | 100V |
Corriente - Promedio Rectificado (Io) | 3A |
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | 1.15V @ 3A |
Velocidad | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Tiempo de recuperación inverso (trr) | 1.5µs |
Corriente - Fuga inversa @ Vr | 5µA @ 100V |
Capacitancia a Vr, F | 30pF @ 4V, 1MHz |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | DO-214AB, SMC |
Paquete del dispositivo del proveedor | DO-214AB (SMC) |
Temperatura de funcionamiento - Unión | -55°C ~ 150°C |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
S3BHM6G Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | S3BHM6G-FT |
S3ABHR5G
Taiwan Semiconductor Corporation
S3BB R5G
Taiwan Semiconductor Corporation
S3G R7G
Taiwan Semiconductor Corporation
S3GB R5G
Taiwan Semiconductor Corporation
S3JB R5G
Taiwan Semiconductor Corporation
S3K R7G
Taiwan Semiconductor Corporation
S3KB R5G
Taiwan Semiconductor Corporation
S3MB R5G
Taiwan Semiconductor Corporation
S4A V7G
Taiwan Semiconductor Corporation
S4B V7G
Taiwan Semiconductor Corporation
AX250-2FG484
Microsemi Corporation
M2GL025T-1VF400I
Microsemi Corporation
LCMXO640E-5FT256C
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5AGXBA5D4F27C4N
Intel
EP2SGX60EF1152C3N
Intel
LFE2-12SE-7F484C
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LCMXO2-7000HC-6BG256I
Lattice Semiconductor Corporation
EPF10K50VBI356-4
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EPF6016QC208-2N
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EP4SGX110FF35C4
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