casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / S34MS16G202BHI000
Número de pieza del fabricante | S34MS16G202BHI000 |
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Número de parte futuro | FT-S34MS16G202BHI000 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | MS-2 |
S34MS16G202BHI000 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Discontinued at Future Semiconductor |
Tipo de memoria | Non-Volatile |
Formato de memoria | FLASH |
Tecnología | FLASH - NAND |
Tamaño de la memoria | 16Gb (4G x 4) |
Frecuencia de reloj | - |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | 45ns |
Tiempo de acceso | 45ns |
interfaz de memoria | Parallel |
Suministro de voltaje | 1.7V ~ 1.95V |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 63-VFBGA |
Paquete del dispositivo del proveedor | 63-BGA (11x9) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
S34MS16G202BHI000 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | S34MS16G202BHI000-FT |
S34ML02G100BHV003
Cypress Semiconductor Corp
S34ML02G104BHA010
Cypress Semiconductor Corp
S34ML02G104BHA013
Cypress Semiconductor Corp
S34ML02G104BHB010
Cypress Semiconductor Corp
S34ML02G104BHB013
Cypress Semiconductor Corp
S34ML02G104BHI010
Cypress Semiconductor Corp
S34ML02G200BHA000
Cypress Semiconductor Corp
S34ML02G200BHA003
Cypress Semiconductor Corp
S34ML02G200BHB000
Cypress Semiconductor Corp
S34ML02G200BHB003
Cypress Semiconductor Corp