casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / S34MS02G200GHV003
Número de pieza del fabricante | S34MS02G200GHV003 |
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Número de parte futuro | FT-S34MS02G200GHV003 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | MS-2 |
S34MS02G200GHV003 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Last Time Buy |
Tipo de memoria | Non-Volatile |
Formato de memoria | FLASH |
Tecnología | FLASH - NAND |
Tamaño de la memoria | 2Gb (256M x 8) |
Frecuencia de reloj | - |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | 45ns |
Tiempo de acceso | 45ns |
interfaz de memoria | Parallel |
Suministro de voltaje | 1.7V ~ 1.95V |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 105°C (TA) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 67-VFBGA |
Paquete del dispositivo del proveedor | 67-BGA (8x6.5) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
S34MS02G200GHV003 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | S34MS02G200GHV003-FT |
S25FL116K0XNFA013
Cypress Semiconductor Corp
S25FL116K0XNFI010
Cypress Semiconductor Corp
S25FL116K0XNFI011
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S25FL116K0XNFI013
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S25FL116K0XNFIQ10
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S25FL116K0XNFIQ11
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S25FL116K0XNFIQ13
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S25FL116K0XNFV010
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S25FL116K0XNFV011
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S25FL116K0XNFV013
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