casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / S34MS02G104BHI010
Número de pieza del fabricante | S34MS02G104BHI010 |
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Número de parte futuro | FT-S34MS02G104BHI010 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | MS-1 |
S34MS02G104BHI010 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Discontinued at Future Semiconductor |
Tipo de memoria | Non-Volatile |
Formato de memoria | FLASH |
Tecnología | FLASH - NAND |
Tamaño de la memoria | 2Gb (128M x 16) |
Frecuencia de reloj | - |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | 45ns |
Tiempo de acceso | 45ns |
interfaz de memoria | Parallel |
Suministro de voltaje | 1.7V ~ 1.95V |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 63-VFBGA |
Paquete del dispositivo del proveedor | 63-BGA (11x9) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
S34MS02G104BHI010 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | S34MS02G104BHI010-FT |
IS29GL128S-10DHB01
Cypress Semiconductor Corp
IS29GL128S-10DHB01-TR
Cypress Semiconductor Corp
IS29GL128S-10DHB010
Cypress Semiconductor Corp
IS29GL128S-10DHB013
Cypress Semiconductor Corp
IS29GL128S-10DHB02
Cypress Semiconductor Corp
IS29GL128S-10DHB02-TR
Cypress Semiconductor Corp
IS29GL128S-10DHB020
Cypress Semiconductor Corp
IS29GL128S-10DHB023
Cypress Semiconductor Corp
IS29GL128S-10DHV01
Cypress Semiconductor Corp
IS29GL128S-10DHV01-TR
Cypress Semiconductor Corp
M2GL025-FCSG325I
Microsemi Corporation
M1A3P600-PQG208
Microsemi Corporation
EP4SGX360KF43C3
Intel
XC7S15-1CPGA196C
Xilinx Inc.
A42MX16-3TQ176I
Microsemi Corporation
A54SX08A-FGG144
Microsemi Corporation
A42MX16-3PQ100I
Microsemi Corporation
LFXP15C-4FN256I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2-6SE-5F256I
Lattice Semiconductor Corporation
5CGXFC7C6U19C6N
Intel