casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / S34ML04G200BHB000
Número de pieza del fabricante | S34ML04G200BHB000 |
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Número de parte futuro | FT-S34ML04G200BHB000 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | ML-2 |
S34ML04G200BHB000 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Discontinued at Future Semiconductor |
Tipo de memoria | Non-Volatile |
Formato de memoria | FLASH |
Tecnología | FLASH - NAND |
Tamaño de la memoria | 4Gb (512M x 8) |
Frecuencia de reloj | - |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | 25ns |
Tiempo de acceso | - |
interfaz de memoria | Parallel |
Suministro de voltaje | 2.7V ~ 3.6V |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 105°C (TA) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 63-VFBGA |
Paquete del dispositivo del proveedor | 63-BGA (11x9) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
S34ML04G200BHB000 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | S34ML04G200BHB000-FT |
S29GL512P10FAIR20
Cypress Semiconductor Corp
S29GL512P10FAIR22
Cypress Semiconductor Corp
S29GL512P10FFCR10
Cypress Semiconductor Corp
S29GL512P10FFCR20
Cypress Semiconductor Corp
S29GL512P10FFIR10
Cypress Semiconductor Corp
S29GL512P10FFIR10W
Cypress Semiconductor Corp
S29GL512P11FAI010
Cypress Semiconductor Corp
S29GL512P11FAI012
Cypress Semiconductor Corp
S29GL512P11FFI010
Cypress Semiconductor Corp
S29GL512P11FFI020
Cypress Semiconductor Corp
XCS10XL-4VQG100I
Xilinx Inc.
XC6SLX25T-3FGG484I
Xilinx Inc.
A3P250L-VQG100I
Microsemi Corporation
5CEBA4F17C6N
Intel
EP4CE22E22C8L
Intel
LFE2M100E-7F900C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO1200E-3B256C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-4000HC-4MG132C
Lattice Semiconductor Corporation
5CEFA7F23I7N
Intel
5AGTFC7H3F35I3G
Intel