casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / S34ML04G200BHB000
Número de pieza del fabricante | S34ML04G200BHB000 |
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Número de parte futuro | FT-S34ML04G200BHB000 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | ML-2 |
S34ML04G200BHB000 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Discontinued at Future Semiconductor |
Tipo de memoria | Non-Volatile |
Formato de memoria | FLASH |
Tecnología | FLASH - NAND |
Tamaño de la memoria | 4Gb (512M x 8) |
Frecuencia de reloj | - |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | 25ns |
Tiempo de acceso | - |
interfaz de memoria | Parallel |
Suministro de voltaje | 2.7V ~ 3.6V |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 105°C (TA) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 63-VFBGA |
Paquete del dispositivo del proveedor | 63-BGA (11x9) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
S34ML04G200BHB000 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | S34ML04G200BHB000-FT |
S29GL512P10FAIR20
Cypress Semiconductor Corp
S29GL512P10FAIR22
Cypress Semiconductor Corp
S29GL512P10FFCR10
Cypress Semiconductor Corp
S29GL512P10FFCR20
Cypress Semiconductor Corp
S29GL512P10FFIR10
Cypress Semiconductor Corp
S29GL512P10FFIR10W
Cypress Semiconductor Corp
S29GL512P11FAI010
Cypress Semiconductor Corp
S29GL512P11FAI012
Cypress Semiconductor Corp
S29GL512P11FFI010
Cypress Semiconductor Corp
S29GL512P11FFI020
Cypress Semiconductor Corp
M2GL025-FCSG325I
Microsemi Corporation
M1A3P600-PQG208
Microsemi Corporation
EP4SGX360KF43C3
Intel
XC7S15-1CPGA196C
Xilinx Inc.
A42MX16-3TQ176I
Microsemi Corporation
A54SX08A-FGG144
Microsemi Corporation
A42MX16-3PQ100I
Microsemi Corporation
LFXP15C-4FN256I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2-6SE-5F256I
Lattice Semiconductor Corporation
5CGXFC7C6U19C6N
Intel