casa / productos / Productos semiconductores discretos / Diodos - Rectificadores - Single / S2GHE3_A/H
Número de pieza del fabricante | S2GHE3_A/H |
---|---|
Número de parte futuro | FT-S2GHE3_A/H |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
S2GHE3_A/H Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de diodo | Standard |
Voltaje - Inversión de CC (Vr) (Máx.) | 400V |
Corriente - Promedio Rectificado (Io) | 1.5A |
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | 1.15V @ 1.5A |
Velocidad | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Tiempo de recuperación inverso (trr) | 2µs |
Corriente - Fuga inversa @ Vr | 1µA @ 400V |
Capacitancia a Vr, F | 16pF @ 4V, 1MHz |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | DO-214AA, SMB |
Paquete del dispositivo del proveedor | DO-214AA (SMB) |
Temperatura de funcionamiento - Unión | -55°C ~ 150°C |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
S2GHE3_A/H Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | S2GHE3_A/H-FT |
U1B-E3/5AT
Vishay Semiconductor Diodes Division
U1B-E3/61T
Vishay Semiconductor Diodes Division
U1C-E3/5AT
Vishay Semiconductor Diodes Division
U1C-E3/61T
Vishay Semiconductor Diodes Division
U1D-E3/5AT
Vishay Semiconductor Diodes Division
U1D-E3/61T
Vishay Semiconductor Diodes Division
U1D-M3/5AT
Vishay Semiconductor Diodes Division
U1D-M3/61T
Vishay Semiconductor Diodes Division
UH1B-E3/5AT
Vishay Semiconductor Diodes Division
UH1B-E3/61T
Vishay Semiconductor Diodes Division
A40MX04-VQ80A
Microsemi Corporation
XC2VP30-5FGG676C
Xilinx Inc.
APA750-BG456I
Microsemi Corporation
AFS250-FGG256
Microsemi Corporation
AGLN125V5-VQ100I
Microsemi Corporation
5SGSED8N2F45I3LN
Intel
EP3SE80F1152C3N
Intel
10AX057K3F35E2LG
Intel
EP1S40F780I6
Intel
EP1SGX40GF1020C6
Intel